Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

贵金属, 2005, 26(1): 1-5. doi: 10.3969/j.issn.1004-0676.2005.01.001

Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

高英俊 ^1, , 赵妙 ^2, , 黄创高 ^3, , 蓝志强 ^4,

1.广西大学物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004;中国科学院国际材料物理中心,辽宁,沈阳,110016

2.广西大学物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004

3.广西大学物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004

4.广西大学物理科学与工程技术学院,广西,南宁,530004

基金项目: 国家自然科学基金(50061001) 广西科学基金(桂科0135006,桂科自0007020,桂科基0342004-1) 广西新世纪十百千人才工程基金(2001207)

关键词：金属材料 , 价电子结构 , EET理论 , 表面能 , 无沉淀带

The Microscopic Mechanism Interpret on a Precipitate-free Zones of γ Phase in Al-Ag Alloy

运用固体经验电子理论(EET),对Al-Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算.结果表明,沉淀相与基体的界面处能量连续性较差,γ相的表面结合能高于基体的表面结合能,在界面处形成能量势阱.因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子,引起γ相周围Ag原子的贫乏,出现γ相无沉淀带(PFZ).

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The Microscopic Mechanism Interpret on a Precipitate-free Zones of γ Phase in Al-Ag Alloy

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