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采用Si3N4结合SiC板作为3kA液态下阴极稀士金属电解槽的侧壁材料,进行了实际电解工艺试验,考察了Si3N4结合SiC材料在稀土熔盐电解槽上的使用效果,研究表明,Si3N4结合SiC材料在稀土熔盐中腐蚀较严重,尤其是靠近电解槽阴极位置,由于弥散在电解质中的金属雾和阳极产生的气体加剧了Si3N4结合SiC材料受腐蚀破坏;板材由于受热不均产生了开裂现象,且开裂位置会加剧材料的腐蚀破坏,进一步的分析表明,Si3N4结合SiC材料在稀土熔盐中主要受腐蚀的是含Si3N4的结合相.

参考文献

[1] 庞思明,颜世宏,李宗安,陈德宏,徐立海,赵斌.我国熔盐电解法制备稀土金属及其合金工艺技术进展[J].稀有金属,2011(03):440-450.
[2] 邢鹏飞.稀土熔盐电解石墨阳极的腐蚀与保护[J].稀土,1996(02):49.
[3] 高炳亮,王启权,邱竹贤,罗新民,范清文.碳化硅耐火材料在铝电解槽中应用的可行性[J].轻金属,2001(04):40-43.
[4] 李世斌,吕振林,高积强,金志浩.碳化硅材料在冰晶石熔液中的侵蚀行为[J].中国有色金属学报,2003(06):1447-1450.
[5] 王兆文,高炳亮,赵冰洋,邱竹贤.铝电解槽碳化硅绝缘侧壁材料的耐蚀性[J].东北大学学报(自然科学版),2002(04):345-347.
[6] 李延军;常赪;赵俊国 等.氮化硅含量对氮化硅-碳化硅材料抗电解质侵蚀性能的影响[J].武汉科技大学学报,2008,31(04):173-182.
[7] 李延军,赵俊国,王文武,张治平,刘国华.Si3N4结合SiC抗电解质侵蚀性能的研究状况[J].轻金属,2006(07):25-28.
[8] 张丽鹏,于先进,李玉怀,邱竹贤.氮化硅结合碳化硅材料的制备及在冰晶石融盐中的腐蚀行为研究[J].硅酸盐通报,2006(05):176-179.
[9] Egil Skybakrmen.Evaluation of chemical resistsnce/oxidation of Si3N4-SiC Sidelining materials used in Al electrolysis cells[A].USA:Cancun Mexico,2001:1330-1339.
[10] Egil Skybakrmen Lisbet I;Sloen Jannicke H Kvello;Ove Darell.quality evaluation of nitride bonded silicon carbide sidelinling materials[J].Light Metals,2005:773-778.
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