采用湿化学共沉淀法,在TiO2颗粒表面包覆ATO制备ATO/TiO2复合粉体.研究了复合粉体的形态结构、ATO含量对ATO/TiO2复合粉体电阻率的影响,并对导电机理进行了讨论.研究结果表明,ATO以非晶态的形态靠范德华力与静电引力吸附在TiO2表面,ATO含量决定TiO2颗粒表面能否形成完整的导电网络基本框架.渗滤阈值前( Vc=0.0689),导电的ATO含量相对较少,ATO/TiO2复合材料电阻率大,导电连通网络尚未大范围形成,电阻率随ATO含量变化而变化的速度缓慢；达到渗滤阈值(Vc =0.0689 -0.1562)时,导电连通网络逐渐形成,ATO/TiO2复合材料电阻率随ATO含量变化而急剧变化；当体积分数超过0.1562时,ATO导电粒子含量很高,导电连通网络已经大范围形成,ATO/TiO2复合材料电阻率随ATO含量变化而变化的速度又趋缓慢.
参考文献
| [1] | 孔伟华.ITO靶材在磁控溅射过程中的毒化现象[J].无机材料学报,2002(05):1083-1088. |
| [2] | 王银玲,徐雪青,徐刚,何新华.锑掺杂纳米SnO2透明导电薄膜的制备与性能研究[J].光学仪器,2008(03):68-72. |
| [3] | 胡志强,张晨宁,丘鹏,刘俐宏,奥谷昌之,金子正治.FTO/ITO复层导电薄膜的研究[J].功能材料,2005(12):1886-1888. |
| [4] | Santos-pena J;Brousse T .Antimony doping effeeting on the electrochemical behavior of SnO2 thin film electrodes[J].Journal of Power Sources,2001,97:232-237. |
| [5] | Bisht H;Eun H T;Aegerter M A .Comparison of spray pyrolyzed FTO,ATO and ITO coatings forat and bent glass substrates[J].THIN SOLID FILMS,1999,351:109-1114. |
| [6] | Chopra K L;Major S;Pandya D K .Transparent conductors status review[J].THIN SOLID FILMS,1983,102:1-46. |
| [7] | 杨华明,谭定桥,陈德良,敖伟琴.石英基复合导电粉末的制备与应用[J].中国粉体技术,2002(04):13-15,18. |
| [8] | 姚超,吴凤芹,林西平,汪信.纳米导电二氧化钛的研制[J].涂料工业,2003(07):18-21. |
| [9] | J Rockenberger;U Zum Fede;M Tscher et al.Near edge X-ray absoption fine structure measurements (XANES) and extended X-ray absorption fine structure measurement (EXAFS) of the valence state and coordination of antimony in doped nano crystalline SnO2[J].Journal of Chemical Physics,2000,112(09):4292-4304. |
| [10] | Lipp L;Pletcher D .Preparation and characterization of thin dioxide coated titanium electrodes[J].Electrochimica Acta,1997,42(07):1091-1099. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%