KMC模拟薄膜生长反常效应的研究

材料工程, 2008, (10): 29-34. doi: 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.008

KMC模拟薄膜生长反常效应的研究

郑小平 ^1, , 张佩峰 ^2, , 贺德衍 ^3, , 郝远 ^4,

1.兰州城市学院,电子信息科学与技术研究所,兰州,730070;兰州理工大学,甘肃省有色金属新材料重点实验室,兰州,730050

2.兰州城市学院,电子信息科学与技术研究所,兰州,730070;兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000

3.兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000

4.兰州理工大学,甘肃省有色金属新材料重点实验室,兰州,730050

基金项目: 兰州交通大学青蓝人才基金教育部重点实验室基金(K040101) 国家自然科学基金(10574059) 甘肃省自然科学基金(0710RJZA074) 中国博士后科学基金

关键词： KMC , 薄膜 , 反常效应 , 交换

Simulation of Abnormal Effect in Film Groeth Using KMC Method

以扩散理论基础,建立以"基本微观过程"为核心的新模型,首次对存在表面活化剂时薄膜生长的微观过程进行KINETIC MONTECARLO模拟.模拟发现,温度较低时沉积原子自身更容易聚集成核,这一反常效应是由于表面活化剂原子比沉积原子更容易被激活扩散造成的.活化层原子和沉积原子都会发生跨层间的扩散,交换比并非恒等于1,而是与温度、入射率、成膜厚度等多种因素有关.

参考文献

[1]	ZHU W G;MONGEOT F B D;VALBUSA U et al.Adatom a scending st step edges and faceting on fcc met al(110)surfaces[J].Physical Review Letters,2004,92(10):106-102.
[2]	Wu J.;Wang EG.;Varga K.;Liu BG.;Pantelides ST.;Zhang ZY. .Island shape selection in Pt(111) submonolayer homoepitaxy with or without CO as an adsorbate - art. no. 146103[J].Physical review letters,2002(14):6103-0.
[3]	ZHANG P F;ZHENG X P;HE D Y .Kinetic monte carlo simulation of Cu film growth[J].Vacuum,2004,72(04):405-410.
[4]	ZHANG P F;ZHENG X P;WU S P et al.Application of computer simulation in thin-film epitaxy growth[J].Computational Materials Science,2004,30(3-4):331-336.
[5]	ZHANG P F;ZHENG X P;HE D Y .Monte carlo simuhtion of nucleation at the initial stage of thin film growth[J].Journal of the Korean Physical Society,2005,5(46):92-95.

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