采用新的泥浆预涂层-反应烧结工艺在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC致密涂层,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响;采用XRD分析涂层的组分及晶体结构,采用SEM分析涂层的断口形貌.结果显示,采用MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好;无Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差,而在真空环境下、1450～1600℃温度范围高温烧结能够制备出致密的Si/SiC涂层,Si气氛的大量存在是决定涂层性能的关键.
参考文献
| [1] | MULLERC;PAPENBURG U.C/SiC high precision lightweight components for optomechanical applications[A].USA:Bellingham,2001:4198,249-259. |
| [2] | 张玉娣,张长瑞,周新贵,曹英斌.SiC基陶瓷卫星反射镜研究进展[J].材料导报,2002(09):37-39. |
| [3] | 胡深洋;李玉兰;王天明 .梯度涂层材料残余应力分析[J].兰州大学学报(自然科学版),1995,32(03):67-73. |
| [4] | 王保林,韩杰才,杜善义.基底/功能梯度涂层结构的动态热应力分析及结构优化[J].航空学报,2000(03):286-288. |
| [5] | 朱庆山;邱学良;马昌文 .抗氧化石墨材料的实验研究[J].清华大学学报(自然科学版),1997,37(06):58-62. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%