铜膜化学机械抛光工艺优化

电镀与精饰 , 2014, 36(7): 37-41. doi: 10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.009

铜膜化学机械抛光工艺优化

李炎 ^1, , 刘玉岭 ^2, , 李洪波 ^3, , 樊世燕 ^4, , 唐继英 ^5, , 闫辰奇 ^6, , 张金 ^7,

1.河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北科技大学化学与制药工程学院,河北石家庄050018

2.河北工业大学微电子研究所,天津,300130

3.河北工业大学微电子研究所,天津300130;河北联合大学信息工程学院,河北唐山063000

4.河北工业大学微电子研究所,天津,300130

5.河北工业大学微电子研究所,天津,300130

6.河北工业大学微电子研究所,天津,300130

7.河北工业大学微电子研究所,天津,300130

基金项目: 河北省自然科学基金(E2013202247) 河北省教育厅基金(2011128) 国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308) 河北省自然科学基金(F2012202094)

关键词：化学机械抛光 , 碱性抛光液 , 磨料 , 片内速率非均匀性 , 表面粗糙度 , 铜膜

Optimization of Chemical Mechanical Polishing Process of Copper Film

Keywords： chemical mechanical polishing , alkaline slurry , abrasive , within wafer non uniformity of rate , surface roughness , copper film

对d为300 mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响.通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175 mL/min,抛光机转速为65 r/min,0.5％磨料,0.5％氧化剂,7％鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善.

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