欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

本文采用化学机械抛光方法,以SiO2作为抛光液的研磨介质,对76mm Z切向的铌酸锂晶片的抛光进行了深入的研究.分析了影响铌酸锂晶片抛光效果的因素,通过优化工艺参数,使铌酸锂的表面粗糙度Ra达到0.387nm,平面面形误差小于4μm.

参考文献

[1] 孔勇发;许京军;张光寅.多功能光电材料--铌酸锂晶体[M].北京:科学出版社,2005:35.
[2] 魏昕,杜宏伟,袁慧,解振华.晶片材料的超精密加工技术现状[J].组合机床与自动化加工技术,2004(03):75-79.
[3] Brews J R;Fichtner W;Nicolian et al.Generalized Guide to MOSFET Miniaturization[J].IEEE Electron Device Letters,1980,1(01):2.
[4] Preston F.The Theory and Design of Plate Glass Polishing Machines[J].Journal of the Society of Glass Technology,1927(11):214.
[5] 高宏刚,曹健林,朱镛,陈创天.超光滑表面及其制造技术的发展[J].物理,2000(10):610-614.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%