影响半导体量子点生长因素的分析

人工晶体学报, 2004, 33(6): 1018-1021. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.031

影响半导体量子点生长因素的分析

杨红波 ^1, , 俞重远 ^2, , 刘玉敏 ^3, , 黄永箴 ^4,

1.北京邮电大学理学院,北京,100876;光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876

2.北京邮电大学理学院,北京,100876;光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876

3.北京邮电大学理学院,北京,100876;光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876

4.中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2003AA311070) 国家重点实验室基金国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314901)

关键词：量子点 , 自组织生长 , 应力场 , 外界条件

Analysis of Influencing Factor on Growth Semiconductor Quantum Dots

生长高面密度和尺寸均匀的量子点是半导体量子点实用化的关键.本文在已有研究工作的基础上,从材料本身的特性和生长量子点时的外界条件两方面总结了影响量子点生长的各种因素,从原理上分析了控制量子点有序生长的可能性的几种方法.

参考文献

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