快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

人工晶体学报, 2004, 33(5): 747-750. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.011

快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

郝秋艳 ^1, , 乔治 ^2, , 张建峰 ^3, , 任丙彦 ^4, , 李养贤 ^5, , 刘彩池 ^6,

1.天津大学电信学院,天津300072;河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

2.河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

3.河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

4.河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

5.河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

6.河北工业大学信息功能材料研究所,天津300130

基金项目: 国家自然科学基金(60076001 ,50032010) 河北省自然科学基金(502061)

关键词： CZSi , 原生微缺陷 , 流动图形缺陷 , 原子力显微镜 , 快速退火

Effect of RTA on Grown-in Defects in Large-diameter CZSi

本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs.

参考文献

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