碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

人工晶体学报, 2004, 33(2): 180-183. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.012

碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

高德友 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 王瑞林 ^4, , 魏昭荣 ^5, , 李含冬 ^6, , 韦永林 ^7, , 唐世红 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

8.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目四川省科技攻关项目(02GG009-010) 国家自然科学基金(60276030)

关键词：碲锌镉 , 单晶体 , 蚀坑观察 , SEM形貌

Observation on Etch Pits on the (110) Faces of Cd1-xZnxTe Crystals

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.

参考文献

[1]	McQuaid;James H et al.Ambient Temperature Cadmium Zinc Telluride Radiation Detector and Amplifies Circuit[P].US:5757227,1998.
[2]	MESCHER M.J.;SCHLESINGER T.E.;TONEY J.E. .Development of Dry Processing Techniques for CdZnTe Surface Passivation[J].Journal of Electronic Materials,1999(6):700-704.
[3]	赵北君;朱世富等.Cd1-xZnxTe单晶体的生长研究[J].人工晶体学报,1999,29(05):86.
[4]	Inoue M;Teramolo I;Takayanagi S .Etch Pits and Polarity in CdTe Crystals[J].Applied Physics Letters,1979,34:574.
[5]	Nakagawa K;Naeda K;Takeuchi S .Observation of Dislocation in CdTe by Cathodolumincacence Microcopy[J].Journal of Applied Physics,1962,33:2578.
[6]	Everson W J;Ard C K;Sepich J L et al.Etch Pit Characterization of CdTe and CdZnTe Substrate for Use in Mercury Cadmium Telluride Epitaxy[J].Journal of Electronic Materials,1995,24(05):505.
[7]	顾惠明,杨建荣,陈新强,何力.CdZnTe材料（111）B和（211）B面上位错腐蚀坑密度的差异[J].人工晶体学报,1999(02):172-176.
[8]	Kolesnikov N N;Kolchin A A;Alov D L et al.Growth and Characterization of p-type Cd1-xZnxTe (x=0.2,0.3,0.4)[J].Journal of Crystal Growth,1997,174:256-262.

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