Nd∶YVO4杂质引入途径分析

人工晶体学报, 2002, 31(4): 401-404. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.016

Nd∶YVO4杂质引入途径分析

邹宇琦 ^1, , 李新军 ^2, , 徐军 ^3, , 干福熹 ^4,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所晶体中心,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所晶体中心,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所晶体中心,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所晶体中心,上海,201800

基金项目: 国家自然科学基金(60047003)

关键词： Nd∶YVO4 , ICP , 色谱 , 杂质分析

Accesses Available for the Impurities to the Nd∶YVO4

运用ICP方法分析了一次蒸馏水和二次蒸馏水中的离子含量.应用二次蒸馏水合成钒酸钇原料,并生长出Nd∶YVO4晶体.采用色谱对原料样品和晶体样品中的杂质元素和杂质基团进行分析,发现钒酸钇晶体内部含有VO,YO,NdO,YVO2,YVO3,Y2O2基团,含K、Na、Ca等碱金属和稀土元素.在晶体中含有杂质离子铯和铅.

参考文献

[1]	Rubin J J;Van Uitert L G .Growth of Large Yttrium Vanadate Single Crystals for Optical Maser Studies[J].Journal of Applied Physics,1966,37:2920-2921.
[2]	Erdei s.Growth of Oxygen Deficiency-free YVO4 Single Crystal by Top-seeded Solution Growth Technique[J].Journal of Crystal Growth,1993(134):1-13.
[3]	孟宪林,祝俐,张怀金,吕孟凯.掺钕钒酸钇单晶生长研究[J].人工晶体学报,1999(01):23-26.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Nd∶YVO4杂质引入途径分析

Accesses Available for the Impurities to the Nd∶YVO4

参考文献