a面白宝石单晶的温度梯度法生长及缺陷的研究

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

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Defect Study of a-Plane Sapphire Grown by TGT

用温度梯度法(TGT)生长出了高质量的a面(11-20)白宝石单晶.通过化学腐蚀和光学显微镜研究了晶体内部的位错分布及其密度的大小,同时应用高分辨X射线四圆衍射法测定了晶体内部的完整性.

[1]	南京大学地质学系岩矿教研室.结晶学与矿物学[M].北京:地质出版社,1978:333.
[2]	张乐.白宝石单晶[M].天津:天津科学技术出版社,1982
[3]	王文魁.晶体形貌学[M].武汉:中国地质大学出版社,2001:71.
[4]	周国清,徐科,邓佩珍,徐军,周永宗,干福熹,朱人元.温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析[J].硅酸盐学报,1999(06):727-733.

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