欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120~1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.

参考文献

[1] 周永溶.半导体材料[M].北京:北京理工大学出版社,1992:184-194.
[2] ROBINSON A L;Bube R H .Photoelectronic Properties of Defects in CdSe Single Crystal[J].Journal of Applied Physics,1971,42(13):5280.
[3] Burger A;Henderson D O;Morgan S H et al.Purification,Crystal Growth and Characterization of CdSe Single Crystals[J].Journal of Crystal Growth,1991,109:304.
[4] Burger A;Roth M .Growth of Medium Electrical Resistivity CdSe Single Crystals by the Temperature Gradient Solution Zoning Technique[J].Journal of Crystal Growth,1984,67:507.
[5] Piper W W;Polich S J .Vapor-phase Growth of Single Crystals of Ⅱ-Ⅵ Compounds[J].Journal of Applied Physics,1961,62(07):1278.
[6] 孔宏志,石伟东,王德昌.用静态升华法制备CdSe单晶及其性质的观测[J].半导体学报,1986(01):73.
[7] Sharma R C;Chang Y A .The Cd-Se (Cadmium-Selenium) System[J].Journal of Phase Equilibria,1996,17(02):140.
[8] 《薄膜科学与技术手册》编写组.薄膜科学与技术手册[M].北京:机械工业出版社,1991:965.
[9] 桂明德.无机化学丛书:氧、硫、硒分族[M].北京:科学出版社,1998:317.
[10] 孟庆珍;胡鼎文;程泉寿.无机化学[M].北京:北京师范大学出版社,1988:897.
[11] 金应荣,朱世富,赵北君,邵双运,李奇峰,王雪敏,于丰亮,宋芳.富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性[J].半导体学报,2001(09):1139-1142.
[12] 邵双运,金应荣,朱世富,赵北君,宋芳,王学敏,朱兴华.CdSe单晶体的生长及其特性研究[J].人工晶体学报,2001(02):119-122.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%