坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

人工晶体学报, 1999, 28(4): 323-327. doi: 10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.003

坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

赵北君 ^1, , 朱世富 ^2, , 李正辉 ^3, , 傅师申 ^4, , 于丰亮 ^5, , 李奇峰 ^6,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 核工业科学基金

关键词：非线性光学晶体 , 硒镓银 , 多晶合成 , 单晶生长 , 熔体温度振荡 , 坩埚旋转下降法

Growth of AgGaSe2 Single Crystal by the Descending Crucible with Rotation Technique

本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5～6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5%Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4%,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12%.

参考文献

[1]	Feiglson R S;Route R K .Recent Developments in the Growth of Chalcopyrite Crystals for Nonlinear Infrared Applications[J].Optical Engineering,1987,26:113.
[2]	Iseler G W .Thermal Expansion and Seeded Growth of AgGaSe2[J].Journal of Crystal Growth,1977,41:150.
[3]	Route R K;Feiglson R S;Raymakers R J .Growth of AgGaSe2 for Infrared Applications[J].Journal of Crystal Growth,1974,24/25:390.
[4]	Calella G C;Burlage D.Crystal Growth and Optical Properties of AgGaS2 and AgGaSe2[M].MRS Bulletin,1998:28.
[5]	Singh N B;Hopkins R H;Feichtner J D et al.Effect of Annealing on the Optical Quality of AgGaS2 and AgGaSe2 Single Crystals[J].Journal of Materials Science,1986,21:837.
[6]	Sakai E;Horinaka H;Sonomura H et al.A Preliminary Observation on AgGaSe2 as A Nuclear Radiation Detector[J].Materials Research Society Symposium Proceedings,1983,16:223.
[7]	Zhu Shifu;Zhao Beijun;Zhu Jiliang et al.Fabrication of AgGaSe2[J].J.Sichuan University,1998,35:199.

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坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

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