双掺杂TGS晶体--LUTGS

1.山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100

2.山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100

3.山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100

4.山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100

Double Doped TGS Single Crystal-LUTGS

分别在58～54℃和45～38℃温区生长了完整的LUTGS单晶.揭示了两种晶体的生长习性.通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量,发现两温区生长的LUTGS单晶的热释电材料优值M(P/ε)无大差异,但都比纯TGS有显著提高.

[1]	Lines E M;Glass A M.Principles and Application of Ferroelectrics and Related Materials[M].Clarendon Press,Oxford,1977
[2]	Fang Changshui;Wang Min .[J].Ferroelectrics,1993,142:93-98.
[3]	房利.一种新的改性TGS晶体--UTGS[J].人工晶体学报,1997(03):289.
[4]	张克从;张乐惠.晶体生长科学与技术[M].北京:科学出版社,1997

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