共沉淀法制备纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3及其低场磁电阻性质

低温物理学报 , 2008, 30(2): 167-170. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.017

共沉淀法制备纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3及其低场磁电阻性质

何伟 ^1, , 羊新胜 ^2, , 阚香 ^3, , 张元发 ^4, , 杨立芹 ^5, , 杨烨 ^6, , 赵勇 ^7,

1.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

2.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

3.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

4.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

5.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

6.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

7.磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,西南交通大学超导研究开发中心,成都,610031

关键词：低场磁电阻 , 共沉淀 , 纳米

LOW-FIELD MAGNETORESISTANCE OF NANO-POLYCRYSTALLINE La2/3Sr1/3MnO3 PREPARED BY COPRECIPITATION TECHNIQUE

利用共沉淀法制备了纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3粉体,并研究了相应烧结陶瓷的相结构、显微形貌、电性质以及磁电阻效应.样品中存在高密的晶界,对电子的疏运过程产生明显的散射作用,从而使得样品具有较大的电阻值,并且只有当烧结温度大于800℃时才出现金属绝缘体温度相变.样品的磁电阻是低场磁电阻效应,源于晶界处电子的自旋极化隧穿.烧结温度越低的样品,其磁电阻越大.

参考文献

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