反应溅射法连续制备CeO2隔离层

低温物理学报 , 2007, 29(3): 218-220. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.012

反应溅射法连续制备CeO2隔离层

张华 ^1, , 刘慧舟 ^2, , 杨坚 ^3, , 金薇 ^4, , 杨玉卫 ^5, , 古宏伟 ^6,

1.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

2.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

3.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

4.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

5.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

6.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB601005) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03Z205)

关键词：反应溅射 , 连续沉积 , CeO2隔离层 , NiW衬底

CONTINUOUS DEPOSITION OF CeO2 BUFFER LAYERS BY REACTIVE SPUTTERING

用带有反应溅射装置的走带系统在立方织构的Ni-5% W衬底上连续制备了长10 cm的CeO2隔离层.为避免金属衬底氧化,以H2O作为反应气体.论文主要研究了衬底温度、走带速率对CeO2隔离层外延生长的影响.用X射线θ～2θ扫描,ψ扫描对薄膜的取向和织构进行表征.结果显示在温度650 ℃,走带速度2.5 mm/s的条件下,连续制备的CeO2隔离层有效地继承并改善了基底的织构,平均平面内ψ扫描半高宽为6.18°,扫描电镜(SEM)观察表明薄膜表面致密,且无裂纹生成.

参考文献

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