Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

低温物理学报 , 2007, 29(1): 18-20. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2007.01.004

Tl系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

季鲁 ^1, , 阎少林 ^2, , 赵新杰 ^3, , 方兰 ^4, , 李永刚 ^5, , 何明 ^6,

1.南开大学电子科学系,天津,300071

2.南开大学电子科学系,天津,300071

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4.南开大学电子科学系,天津,300071

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基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB01006) 高等学校博士学科点专项科研项目(20050055028) 天津市电子薄膜器件与技术重点实验室资助课题

关键词： Tl-2212 , RABTiS , 缓冲层 , YSZ , CeO2

GROWTH AND PROPERTIES OF Tl-BASED SUPERCONDUCTING FILM COATED CONDUCTORS

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD 实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8 K,Jc(77 K,0 T)达到2.6 MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜Tc可达97.7 K,Jc(77 K,0 T)也可以达到0.45 MA/cm2.

参考文献

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