铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性

低温物理学报 , 2000, 22(2): 86-91. doi: 10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.002

铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性

宋鹏程 ^1, , 危健 ^2, , 吴克 ^3, , 侯玉敏 ^4, , 阎守胜 ^5,

1.北京大学物理系,北京,100871

2.北京大学物理系,北京,100871

3.北京大学物理系,北京,100871

4.北京大学物理系,北京,100871

5.北京大学物理系,北京,100871

基金项目: 中国科学院资助项目(19734001)

WEAK LOCALIZATION OF ULTRA-THIN DILUTE Cu-Nb FILMS

在4.2到25K范围内测量了20纳米稀掺杂铜铌超薄膜(Cu99Nb1, Cu95Nb5)的电阻及磁导随温度的变化,没有观察到超导的迹象,而且样品的磁导都表现出典型的弱局域性质.通过与理论的拟合,得到描述弹性散射,非弹性散射,自旋-轨道散射和磁散射的特征磁场和特征迟豫时间.Cu95Nb5的各种特征迟豫时间均比Cu99Nb1的小.铌的加入不仅很大地影响了杂质引起的电子-电子散射,同时也是导致样品的弹性散射时间与自旋-轨道散射时间之比τ0/τso偏离 Abrikosov-Gorkov关系的主要原因.

参考文献

[1]	C C Tsuei;L R Newkirk .[J].Journal of Materials Science,1973,8:1307.
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