抗坏血酸在聚对羟基苯甲酸修饰玻碳电极上的催化电氧化行为

应用化学, 2009, 26(9): 1117-1119. doi: 10.3969/j.issn.1000-0518.2009.09.026

抗坏血酸在聚对羟基苯甲酸修饰玻碳电极上的催化电氧化行为

余建国 ^1, , 王永乐 ^2, , 韩李梅 ^3, , 谷慧科 ^4, , 赵永男 ^5, , 张恒彬 ^6,

1.天津工业大学材料科学与化学工程学院,改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

2.天津工业大学材料科学与化学工程学院,改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

3.天津工业大学材料科学与化学工程学院,改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

4.天津工业大学材料科学与化学工程学院,改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

5.天津工业大学材料科学与化学工程学院,改性与功能纤维天津市重点实验室,天津,300160

6.吉林大学化学学院,长春

基金项目: 天津工业大学科研启动基金(029087) 天津市教委科技发展基金(2006ba470)

关键词：对羟基苯甲酸 , 抗坏血酸 , 电催化 , 伏安法

Electrocatalytic Oxidation of Ascorbic Acid at Poly(para-hydroxybenzoic acid) Modified Glassy Carbon Electrode

通过循环伏安(CV)制备了聚对羟基苯甲酸(poly-PHB)修饰的玻碳电极. 考察了电极对抗坏血酸(AA)电氧化的催化性能. 结果显示,聚对羟基苯甲酸修饰玻碳电极对AA氧化有很好的电催化作用. 在修饰电极上产生的峰电流比在未修饰电极上产生的氧化峰电流大4倍,氧化峰电位负移205 mV. 氧化峰电流与AA浓度在2.6×10-5～3.68 ×10-4 mol/L范围内呈线性关系,相关系数为0.998 4,检测限为5×10-6 mol/L(S/N=3). 在AA与多巴胺(DA)共存的体系中,能排除DA对抗坏血酸测定的干扰.

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