3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质

应用化学, 2009, 26(6): 707-710. doi: 10.3969/j.issn.1000-0518.2009.06.018

3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质

王雪梅 ^1, , 石晨 ^2, , 肖英勃 ^3, , 韦斌 ^4, , 孙岳明 ^5, , 祁争健 ^6,

1.东南大学化学化工学院,南京,211189

2.东南大学化学化工学院,南京,211189

3.东南大学化学化工学院,南京,211189

4.东南大学化学化工学院,南京,211189

5.东南大学化学化工学院,南京,211189

6.东南大学化学化工学院,南京,211189

基金项目: 国家科技支撑计划(2007BAK26B06) 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2007CB936300) 江苏省研究生创新计划项目(1107040024)

关键词：聚噻吩 , 循环伏安 , 电子亲合能 , 电离能 , 带隙

Synthesis and Electrochemical Characteristics of 3-Alkylthiophene Copolymers

通过Heck偶联法合成了4种3-烷基噻吩交替共聚物:聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-二唑)(P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-二唑)(P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶)(P3HT-Py)和聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶)(P3OT-Py). 用NMR、GPC等测试技术对其结构进行了表征. 采用循环伏安法、紫外-可见吸收光谱法研究了系列共聚物光电性能. 结果表明,随噻吩环3位取代烷基碳链的增长,聚合物电离能(Ip)减小,带隙(Eg)也随之变窄. 其中,P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0.11 eV,P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0.19 eV,在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的二唑单元,可有效提高共聚物电子亲合能(Ea),对提高电子传输能力,改善电子与空穴注入平衡有积极作用.

参考文献

[1]	QI Zheng-Jian(祁争健),SUN Yue-Ming(孙岳明),XIAO Ying-Bo(肖英勃),YAN Da-Zhi(颜大志),HE Yan-Fang(何艳芳),YU Jing(虞婧),WEI Bin(韦斌),XU Xi-Heng(徐希恒).J Func Mater(功能材料)[J],2007,38(11):34
[2]	QI Zheng-Jian(祁争健),WEI Bin(韦斌),SUN Yue-Ming(孙岳明).CN 200 810 020 836.2[P],2008
[3]	Yin S G,Peng J B,Li C X,Huang W Q,Liu X Y,Li W L,He B L.Synth Met[J],1998,93(3):193
[4]	Gettinger C L,Heeger A J,Drake J M,Pine D J.Chem Phys[J],1994,101(2):1 673
[5]	Era M,Koganemaru J I,Tsutsui T,Watakabe A,Kunitake T.Synth Met[J],1997,91(1):83
[6]	Hamaguchi M,Sawada H,Kyokane J,Yoshino K.Chem Let[J],1996,18(7):527
[7]	LI Mao(李茂),LU Ping(路萍),ZHANG Hai-Quan(张海全),LU Dan(陆丹),MA Yu-Guang(马於光).Chinese J Lumin(发光学报)[J],2006,27(1):80
[8]	de Leeuw D M,Simenon M M J,Brown A R,Einerhand R E F.Synth Met[J],1997,87(1):53
[9]	XIAO Ying-Bo(肖英勃).Master′s Dissertation([硕士学位论文]).Nanjing(南京):Southeast University(东南大学),2008
[10]	TONG La-Ga(佟拉嘎),JIAN Xi-Gao(蹇锡高),WANG Jin-Yan(王锦艳),YIN Jun-Ying(尹军英).J Func Mater(功能材料)[J],2002,33(5):568

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网