采用光化学氧化方法对多孔硅进行后处理,获得具有良好稳定性的氧化多孔硅;采用SEM、AFM、FT-IR进行表征;通过SO2传感实验,评价其光致发光谱的变化.结果表明,采用电化学阳极氧化制备的新鲜多孔硅在空气中稳定性较差,SEM图表明其膜层分布有120×40 μm的长方形小块,光化学氧化后使该长方形小块进一步分裂变细;AFM图表明,新鲜制备的多孔硅经稳定化处理后,表面硅柱宽度由700～750 nm变为300～350 nm,高度由50～58 nm变为40 nm;出现Si-O键(1 114 cm-1)和OSi-H键(2 249 cm-1)的振动峰;该氧化多孔硅在SO2介质中呈可逆的荧光猝灭特征,荧光峰的位置不随SO2浓度变化而发生移动,稳定性较好.
参考文献
| [1] | Canham L T.Appl Phys Lett[J],1990,57(10):1 046 |
| [2] | F(o)ll H,Christophersen M,Carstense J,Hasse G.Mater Sci Eng[J],2002,R39:93 |
| [3] | KoshidA N,Matsumoto N.Mater Sci Eng[J],2003,R40:169 |
| [4] | Bisi O,Ossicini S,Pavesi L.Surface Sci Rep[J],2000,38:8 |
| [5] | Stewart M P,Buriak J M.Adv Mater[J],2000,12(12):859 |
| [6] | Lee J,Chakrabarty K,Yi J S.Appl Surface Sci[J],2003,211:373 |
| [7] | Zhu D L,Chen Q W,Zhang Y H.J Luminescence[J],2002,99:125 |
| [8] | FENG Zong-Wei(冯宗炜).Eng Sci(中国工程科学)[J],2000,2(9):5 |
| [9] | LEI Zheng-Dong(雷震东),WU Chuang-Zhi(吴创之),CHEN Yong(陈勇),CHEN Guo-Ju(陈国渠).Coal Conversion (煤炭转化)[J],1998,21(4):7 |
| [10] | Kelly M T,Chun J K M,Bocarsly A B.Nature[J],1996,382:214 |
| [11] | Kelly M T,Chun J K M,Bocarsly A B.J Phys Chem[J],1997,B101:2 702 |
| [12] | LI Xue-Ming(黎学明),YANG Jian-Chun(杨建春),CHEN Wei-Min (陈伟民),HUANG Shang-Lian (黄尚廉),LI Hu (李虎).J Optoelectronics Laser(光电子·激光)[J],2001,12(10):992 |
| [13] | Winbish J C,Bocarsly A B.WO 02/079 085A3[P],2003 |
| [14] | HUANG Chun-Hui(黄春晖),LI Fu-You (李富友),HUANG Yan-Yi (黄岩谊).Ultrathin Films for Optics and Electronics (光电功能薄膜)[M].Beijing(北京):Beijing University Press (北京大学出版社),2001:151 |
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