以氮化铝(AlN),钼(Mo),碳化硅(SiC)为原料,采用放电等离子烧结的方式,在1700℃,30 MPa制备出致密度高达98.5％的SiC添加的AlN/Mo复合陶瓷.采用XRD,FESEM,Agilent4284型LCR自动测试仪,网络分析仪及激光导热仪对样品的微观形貌,导电性能,介电性能和热导率进行了测试分析.研究结果表明:采用放电等离子烧结工艺,在较低的温度下可以制备出组织致密均匀的AlN/Mo/SiC复合材料,但随着SiC添加含量的增加,当SiC的体积含量占到总体的60％时,复合材料的致密度又会出现明显的下降.添加SiC后,相对于AlN/Mo复合陶瓷,复合材料的电阻率得以进行有效的控制,不会出现非线性突变-渗流现象,而是在一定的范围内缓慢下降.在26.5～40.0 GHz下复合材料的介电常数和介电损耗均随着SiC含量的增加而增加.复合材料的热导率随着SiC含量的增加而下降:当致密度高于某临界值时,其热导率主要受SiC含量及其分布状态的影响,随着SiC含量的增加呈缓慢下降的趋势；而当致密度低于临界值后,致密度成为热导率的决定性因素,使得复合材料的热导率随着致密度的降低快速下降.
参考文献
| [1] | 石明,鲁燕萍.氮化铝基微波衰减材料的研究进展[J].硅酸盐通报,2005(06):76-79. |
| [2] | Kume S;Yasuoka M;Omura N;Watari K .Effect of zirconia addition on dielectric loss and microstructure of aluminum nitrideceramics[J].Ceramics International,2007,33:269. |
| [3] | David K B M.AlN-based lossy ceramics for high power applications[A].Stanford,California:Stanford University,2002:32. |
| [4] | Kume S;Yasuoka M;Omura N;Watari K .Effects of annealing on dielectric loss and microstructure of aluminum nitride ceramics[J].Journal of the American Ceramic Society,2005,88(01):3229. |
| [5] | Kume S;Yasuoka M;Omura N;Watari K .Effects of MgO addition on the density and dielectric loss of AIN ceramics sintered in presence of Y203[J].Journal of the European Ceramic Society,2005,25(12):2791. |
| [6] | S. KUME;M. YASUOKA;N. OMURA .Dielectric properties of sintered aluminum nitride[J].International Journal of Refractory Metals & Hard Materials,2005(4/6):382-385. |
| [7] | Cheng-Yu HSIEH;Chun-Nan LIN;Shyan-Lung CHUNG .Microwave sintering of AlN powder synthesized by a SHS method[J].Journal of the European Ceramic Society,2007(1):343-350. |
| [8] | 方针正,林晨光,张小勇,陆艳杰,刘鑫.金刚石/Cu复合材料的烧结致密化研究[J].稀有金属,2008(03):306-310. |
| [9] | 马会娜 .AlN/导电颗粒复合微波衰减陶瓷的制备与性能研究[R].北京:北京有色金属研究总院,2008. |
| [10] | 于红,杨志民.导电颗粒Mo对AlN/Mo复合陶瓷性能的影响[J].稀有金属,2010(03):378-382. |
| [11] | 王玉成,傅正义.导电体与绝缘体复相陶瓷中的渗流现象[J].武汉理工大学学报,2001(02):29-31,53. |
| [12] | Khan A A;Labbe J C .Aluminum nitride-molybdenum ceramic matrix composites:characterization of ceramic of ceramic-metal interface[J].Journal of the European Ceramic Society,1996,16:739. |
| [13] | 孙目珍.电介质物理基础[M].广州:华南理工大学出版社,2000:97. |
| [14] | 赵毅强;姚素应;谢晓东.半导体物理与器件[M].北京:电子工业出版社,2005:232. |
| [15] | 步文博,丘泰,徐洁.AlN-SiC复相材料的制备及其微波衰减性能[J].硅酸盐学报,2003(09):828-831. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%