LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

稀有金属, 2004, 28(3): 540-543. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025

LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

徐岳生 ^1, , 付生辉 ^2, , 刘彩池 ^3, , 王海云 ^4, , 魏欣 ^5, , 郝景臣 ^6,

1.河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130

2.河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130

3.河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130

4.河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130

5.河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130

6.中国电子科技集团公司第13所,河北,石家庄,050051

基金项目: 总装备部科研项目(00JS02.2.1QT4501) 国家自然科学基金(60276009)

关键词： LEC SI-GaAs , AB-EPD , 跨导 , 衬底 , 位错 , PLmapping , 临界值

Microdefects in Semi-Insulating GaAs and Their Effect on gm of MESFET

用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.

参考文献

[1]	Miyazawa S;Ishida Y;Nanishi Y .Direct observation of dislocation effects on threshold voltage of a GaAs field-effect transistor[J].Applied Physics Letters,1983,43:853.
[2]	Miyazawa S;Wada K .Mechanism for the threshold voltage shift of a GaAs field-effect transistor[J].Applied Physics Letters,1998,48:905.
[3]	Suchet P;Duseaux M;Martin G M .Effects of dislocations on the threshold voltage of GaAs field-effect transistor[J].Journal of Applied Physics,1987,62:1097.
[4]	吴巨,何宏家,范缇文,王占国,张绵.半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响[J].半导体学报,1997(07):558.
[5]	Yamamoto H;Oda O et al.Microscopic defects in semi-insulating gaas and their effect on the FET device performance[J].Journal of the Electrochemical Society,1989,136(10):3098.
[6]	李光平,汝琼娜,李静,何秀坤,王寿寅,陈祖祥.SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术[J].功能材料与器件学报,2000(04):365-368.
[7]	张泽兰,曾立波,齐芸馨.半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量测量方法[J].分析测试技术与仪器,1999(01):45-47.
[8]	齐芸馨;孙毅之 .化合物半导体材料性能测试技术研究[R].总装备部预研管理中心, 信息产业部电子第四十六所,2000.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网