本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)材料及其特性的研究.通过对GSMBE生长工艺的优化,在半绝缘(100) InP衬底上成功制备了高质量的InGaAs/InP HBT材料,InGaAs外延层与InP衬底的晶格失配度仅为4×10-4量级,典型的InP发射区掺杂浓度(4×1017 cm-3)时,电子迁移率为800 cm2·V-1·s-1,具有较好的电学特性,可以满足器件制作的要求.
参考文献
| [1] | Kobayashi K.W.;Cowles J. .A 50-MHz-55-GHz multidecade InP-based HBT distributed amplifier[J].IEEE Microwave and Guided Wave Letters,1997(10):353-355. |
| [2] | Mokhtori M;Swahn T;Walden R H et al.InP-HBT chip-set for 40-Gbps fiber optical communication systems operational at 3 V[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,1997,32(09):1371. |
| [3] | Chen X J;Li A Z;Chen J X et al.GSMBE grown In0.49Ga0.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with heavily beryllium doped base and undoped spacer[J].Journal of Crystal Growth,2001,352:227-228. |
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