报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的-CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩.用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350 ℃时薄膜厚度约为400 nm,此时介电常数有最低值1.66.
参考文献
| [1] | Mohan K;Bhan Judy Huang;Dacid Cheung .Deposition of stable, low k and high deposition rate SiF4-doped TEOS fluorinated silicon dioxide (SiOF) films[J].THIN SOLID FILMS,1997,308:507. |
| [2] | RObert D.Miller .In search of low-k dielectrics[J].Science,1999(5439):421,423-0. |
| [3] | Gargini P;Glaze J;Williams O .The SIA′s national technology roadmap for semiconductors[J].Solid State Technology,1998,41(01):73. |
| [4] | 吴广明,鲁鸿雁,王珏,沈军,周斌,张勤远,邓忠生.SiO2气凝胶薄膜常压制备与强化研究[J].物理学报,2002(01):104-110. |
| [5] | Yang CM.;Pan FM.;Tsai TG.;Chao KJ.;Cho AT. .Spin-on mesoporous silica films with ultralow dielectric constants, ordered pore structures, and hydrophobic surfaces[J].Advanced Materials,2001(14):1099-0. |
| [6] | Baskaran S.;Domansky K.;Kohler N.;Li XH.;Coyle C.;Fryxell GE. Thevuthasan S.;Williford RE.;Liu J. .Low dielectric constant mesoporous silica films through molecularly templated synthesis[J].Advanced Materials,2000(4):291-294. |
| [7] | 沈军;王钰;甘礼华 .溶胶-凝胶法制备SiO2气凝胶及其特性研究[J].无机材料学报,1995,10(01):69. |
| [8] | 沈钟;王果庭.胶体与表面化学[M].北京:化学工业出版社,1990 |
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