反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

稀有金属, 2004, 28(3): 458-461. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.002

反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶

王继荣 ^1, , 武壮文 ^2, , 于洪国 ^3, , 张海涛 ^4,

1.北京有色金属研究总院,北京,100088;国瑞电子材料有限责任公司,河北,廊坊,065001

2.北京有色金属研究总院,北京,100088;国瑞电子材料有限责任公司,河北,廊坊,065001

3.北京有色金属研究总院,北京,100088;国瑞电子材料有限责任公司,河北,廊坊,065001

4.北京有色金属研究总院,北京,100088;国瑞电子材料有限责任公司,河北,廊坊,065001

关键词：反偏籽晶 , 热导率 , HB-GaAs单晶生长

Growth of Φ2″ HB-GaAs Single Crystal with Inversely Deviating Seed

HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°～60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于54.7°角生长的单晶切割比较困难,尤其是厚度小于300 μm的晶片.为了减少切割难度,可生长反偏籽晶的单晶,但要保证单晶能割出Φ2″(100)圆片,必须增加单晶锭的截面积.由于GaAs的热导率小,大截面单晶生长要困难得多.通过改变固液截面附近的加热元件结构,在特定方向加强了散热,延伸了温度梯度的线性范围,使用反偏籽晶,成功地生长了Φ2″ HB-GaAs单晶.和正偏籽晶单晶相比,这些单晶锭的切割破损率减少了24%,每100 mm长度出片数增加了30%.

参考文献

[1]	吴桂兰;梁连科.加籽晶法生长GaAs单晶时籽晶取向问题的讨论[A].,1981
[2]	Dobroka Edmund .[J].Journal of Crystal Growth,1990,104:428.
[3]	Young Gregory L;McDonald Karen A;Palazogl Ahmet .[J].Journal of Crystal Growth,1997,171:361.
[4]	Liang MC.;Lan CW. .THREE-DIMENSIONAL THERMOCAPILLARY AND BUOYANCY CONVECTIONS AND INTERFACE SHAPE IN HORIZONTAL BRIDGMAN CRYSTAL GROWTH[J].Journal of Crystal Growth,1997(3/4):587-596.

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