掺锌(100) GaSb 单晶的生长

稀有金属, 2001, 25(5): 321-324. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.001

掺锌(100) GaSb 单晶的生长

黎建明 ^1, , 屠海令 ^2, , 郑安生 ^3, , 邓志杰 ^4, , 罗志强 ^5,

1.北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,

2.北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,

3.北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,

4.北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,

5.北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心,

关键词： GaSb , 有效分凝系数 , 位错密度 , 简并

Growth of (100) Zn-doped GaSb Single Crystals

采用 LEC 方法研制出掺锌(100) GaSb 单晶;用霍尔测量法算出的锌掺杂浓度计算得出锌的有效分凝系数 keff 约为 0.84±0.01,沿晶体生长方向随着锌浓度的提高,位错密度缓慢增加,数值约为 (2～3.2)×103cm-2,当掺锌浓度大于 3×1019cm-3 以后, GaSb 发生简并,载流子浓度随掺锌浓度的增加缓慢提高.采用重掺锌母合金作掺杂剂,可减少锌的损失,较好地控制掺杂浓度.

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