激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

稀有金属, 1998, 22(6): 450-452. doi: 10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.013

激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

屠海令 ^1, , 张峰翊 ^2, , 王永鸿 ^3, , 钱嘉裕 ^4, , 马碧春 ^5,

1.北京有色金属研究总院,北京,100088

2.北京有色金属研究总院,北京,100088

3.北京有色金属研究总院,北京,100088

4.北京有色金属研究总院,北京,100088

5.北京有色金属研究总院,北京,100088

关键词：复合寿命 , 半绝缘GaAs , 激光/微波光电导衰减

Study on Recombination Lifetime Distribution of SI-GaAs by Laser/Microwave Photoconductance Decay Technique

采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线. 结果表明, 复合寿命为几百纳秒, 在径向呈"M"型分布, 和半绝缘GaAs晶片中EPD的"W"型分布相反. 在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上, 对GaAs晶片的寿命进行了讨论.

参考文献

[1]	Hwang C J .[J].Journal of Applied Physics,1971,42:4408.
[2]	Shimura F;Okui T;Kusama T .[J].Journal of Applied Physics,1990,67(11):7168.
[3]	Shimura F;Okui T;Kusama T.Extended Abstract for 17th ESC Meeting[C].Florida,1989
[4]	Yamiguchi M;Yamamoto A;Itho Y .[J].Journal of Applied Physics,1986,59(05):1751.

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Study on Recombination Lifetime Distribution of SI-GaAs by Laser/Microwave Photoconductance Decay Technique

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