Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

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Growth Characteristics of Φ200 mm Silicon Single Crystal

在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.

[1]	佘思明.半导体硅材料学[M].长沙:中南工业大学出版社:195.
[2]	Zulehnen W.[J].Semiconductor Science and Technology,1990

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