计算了不同材料的能带带隙、初始电子密度、激光波长和激光脉宽等参数对薄膜的抗激光损伤阈值的影响,研究了在不同脉冲宽度激光作用下多光子离化和雪崩离化两种损伤机制的竞争.结果表明,在以平均电子能量不变为特征的雪崩电离的建立期间,光电离速度影响初始电子的浓度,从而影响雪崩电离和光电离之间的竞争.激光脉冲的宽度越大,雪崩电离对电子发展的贡献越大,而多光子离化的贡献越小.
参考文献
| [1] | T.H.Walker,A.H.Guenther,Fellow,IEEE,and P.Nielsen,IEEE J.Quantum Electronics,QE-17(10),2053(1981) |
| [2] | T.H.Walker,A.H.Guenther,Fellow,IEEE,and P.Nielsen,IEEE J.Quantum Electronics,QE-17(10),2041(1981) |
| [3] | An-Chun Tien,S.Backus,H.Kapteyn,M.Murnane,G.Mourou,Phys.Rev.Lett.,82(19),3883(1999) |
| [4] | B.C.Stuart,M.D.Feti,S.Herman,A.M.Rubenchik,B.W.Shore,M.D.Perry,Phys.Rev.B,53(4),1749(1996) |
| [5] | M.V.Fischetti,D.J.DiMaria,S.D.Brorson,T.N.Theis,J.R.Kirtley,Phys.Rev.B,31,8124(1985) |
| [6] | M.Sparks,D.L.Mills,R.Warren,T.Holstein,A.A.Maradudin,L.J.Sham,E.Loh,Jr.,D.F.King,Phys.Rev.B,24(6),3519(1981) |
| [7] | D.Arnold,E.Cartier,D.J.DiMaria,Phys.Rev.B,49,10278(1994) |
| [8] | J.N.Bradford,S.Woolf,J.Appl.Phys.,70,490(1991) |
| [9] | E.Cartier,F.R.McFeely,Phys.Rev.B,44,10689(1991) |
| [10] | N.Bloembergen,IEEE J.Quantum Electron.QE-10,375(1974) |
| [11] | B.C.Stuart,M.D.Feit,A.M.Rubenchik,B.W.Shore,M.D.Perry,Phys.Rev.Lett.,74,2248(1995) |
| [12] | D.Liu,P.Jiang,Z.Z.Xu,Solid Physics,edited,(Shanghai:Shanghai Scientific and Technical Publishers,2003)p.62～63(陆栋,蒋平,徐至中,固体物理学(上海,上海科学技术出版社,2003)p.62～63) |
| [13] | D.Du,X.Liu,G.Korn,J.Squier,G.Mourou,Appl.Phys.Lett.,64(23),3071(1994) |
| [14] | A.Kaiser,B.Rethfeld,M.Vicanek,G.Simon,Phys.Rev.B,61,11437(2000) |
| [15] | X.C.Shen,Semiconductor Optical Spectrums and Optical Property,(Beijing,Scientific Publishers,2002) p.133～134(沈学础,半导体光谱和光学性质(北京,科学出版社,2002)p.133～134) |
| [16] | M.Mero,J.Liu,W.Rudolph,Phys.Rev.B,71,115109(2005) |
| [17] | D.M.Simanovskii,H.A.Schwerrman,Phys.Rev.Lett.,91(10),107601(2003) |
| [18] | J.Jasapara,A.V.V.Nampoothiri,W.Rudolph,Phys.Rev.B,63(4),045117(2001) |
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