ITO薄膜的XPS和AES研究

材料研究学报, 2000, 14(2): 173-178. doi: 10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.012

ITO薄膜的XPS和AES研究

陈猛 ^1, , 裴志亮 ^2, , 白雪冬 ^3, , 黄荣芳 ^4, , 闻立时 ^5,

1.中国科学院金属研究所

2.中国科学院金属研究所

3.中国科学院金属研究所

4.中国科学院金属研究所

5.中国科学院金属研究所

关键词：化学状态 , 光电子能谱 , 俄歇电子能谱 , Gauss拟合

XPS AND AES STUDIES OF ITO THIN FILMS

分别用XPS和AES分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况研究表明,退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为(529.90±0.30)eV和(531.40±0.20)eV.氧缺位状态主要分布在薄膜表层.各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集.

参考文献

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