高温超高压烧结纳米SiC的研究

无机材料学报, 2008, 23(4): 811-814. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.035

高温超高压烧结纳米SiC的研究

谢茂林 ^1, , 罗德礼 ^2, , 鲜晓斌 ^3, , 冷邦义 ^4, , 谢东华 ^5, , 鲁伟员 ^6,

1.中国工程物理研究院,绵阳,621900

2.中国工程物理研究院,绵阳,621900

3.中国工程物理研究院,绵阳,621900

4.中国工程物理研究院,绵阳,621900

5.中国工程物理研究院,绵阳,621900

6.四川艺精超硬材料有限公司,江油,621700

关键词：超高压 , 烧结 , 碳化硅 , 氧化铝

Nano-SiC Ceramic Sintering at Ultra-high Pressure and High Temperature

采用高温超高压(HT-HP)技术在4.5GPa/1250°C/20min工艺条件下制备了添加2wt%Al2O3助烧结剂的纳米SiC陶瓷.采用X射线粉末衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、纳米压痕(Nano indenter)研究了烧结SiC陶瓷的物相组成、晶粒大小、化学成分、微观结构、纳米压痕力学性能等.结果表明:采用超高压烧结,可以在较低温度(1250±50°C)、较少烧结助剂用量下实现纳米SiC的致密烧结.烧结体未发生相转变,结构致密,无孔隙,晶粒尺寸为22nm,晶格常数为4.355A;显微硬度为33.7GPa,弹性模量为407GPa.

参考文献

[1]	佘继红.上海,中国科学院上海硅酸盐研究所博士论文,1999.
[2]	Gary L.Harris.Properties of silicon carbide.London,UK:the Institution of Electrical Engineers.1995.
[3]	佘继红,江东亮,谭寿洪,等.硅酸盐学报,1997,25(4):395-400.
[4]	Vassen R,Kaiser A,Stover D.J.Am.Ceram.Soc.,1999,82 (10):2585 2593.
[5]	凌云汉,李江涛,葛昌纯.北京科学技术大学学报,2001,23(3):257-261.
[6]	高濂,李蔚,王宏志,等(GAO Lian,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),2000,15(6):1005-1008.
[7]	李丹,卢忠远,滕元成,等.山东陶瓷,2003,26(5):9-12
[8]	Balog M,Sajgalik P,Hnatko M,et al.Journal of the European Ceramic Society,2007,27 (5):2145-2152.
[9]	Vassen R,Stover D.Materials Science and Enginnering A,2001,301 (1):59-68.
[10]	Jin H Y,Ishiyama M,Qiao G J,et al.Materials Science Enginneering A,2007,DOI:10.1016/j.msea.2006.09.134.

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