脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究

无机材料学报, 2008, 23(3): 531-534. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.022

脉冲激光沉积法生长In掺杂SrTiO3薄膜及其微观结构研究

张亦文 ^1, , 李效民 ^2, , 赵俊亮 ^3, , 于伟东 ^4, , 高相东 ^5, , 吴峰 ^6,

1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

2.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

4.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

6.中国科学院,上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

基金项目: 国家自然科学基金(90401010) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB613306)

关键词：脉冲激光沉积法 , SrTiO3薄膜 , 缓冲层 , 结晶度

Growth and Structural Properties of Indium doped SrTiO3 Films by Pulsed Laser Deposition

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上,生长不同In掺杂量的SrInxTi1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜,研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能,表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响.结果表明,In掺杂导致薄膜结晶度降低,通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度,增强薄膜的(200)择优取向性.然而随In掺杂量的增加,薄膜表面平均粗糙度增大;生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式;拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强,说明薄膜的晶体对称性降低.

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