正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响

无机材料学报, 2007, 22(2): 381-384. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2007.02.039

正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响

吴南春 ^1, , 夏义本 ^2, , 谭寿洪 ^3, , 刘健敏 ^4, , 苏青峰 ^5, , 王林军 ^6,

1.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

5.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

6.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

基金项目: 国家自然科学基金(60577040)

关键词：纳米金刚石薄膜 , 择优取向 , 显微形貌 , 电阻率

Influences of Positive Bias on Microstructure and Electrical Properties of Nanocrystalline Diamond Films

采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺,在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下,沉积了纳米金刚石薄膜.用X射线衍射,场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析.结果表明,施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向,表面形貌发生较大变化.当偏流为8A时,薄膜晶粒达到最小值,约为20nm,薄膜表面也最光滑.本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110)晶面择优取向的形成机制及其对薄膜显微形貌和电阻率的影响关系.

参考文献

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