Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究

无机材料学报, 2006, 21(3): 707-712. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2006.03.031

Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究

陈志强 ^1, , 方国家 ^2, , 李春 ^3, , 盛苏 ^4, , 赵兴中 ^5,

1.武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072

2.武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072

3.武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072

4.武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072

5.武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技中心,武汉,430072

基金项目: 中国科学院资助项目(60244003)

关键词： ZnMgO:Ga膜 , 脉冲激光沉积 , 沉积温度 , 真空退火

Fabrication and Properties of Pulsed Laser Deposited Wide Band-gap Zn0.9Mg0.1O:Ga Conducting Films

利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜.采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后,其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm,禁带宽度则由原来的3.83eV增加到3.90eV.退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象.

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