硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响

无机材料学报, 2005, 20(5): 1270-1274. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.040

硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响

刘卫平 ^1, , 余庆选 ^2, , 田宇全 ^3, , 廖源 ^4, , 王冠中 ^5, , 方容川 ^6,

1.中国科学技术大学结构分析中心

2.中国科学技术大学结构分析中心

3.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

4.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

5.中国科学技术大学结构分析中心

6.中国科学技术大学物理系,合肥,230026

基金项目: 国家自然科学基金(60176024)

关键词：孪晶 , HFCVD , 硼掺杂 , 金刚石薄膜

Effects of Boron Doping on the Growth Characteristic of Diamond Film

采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.

参考文献

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