导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征

无机材料学报, 2005, 20(2): 367-372. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.017

导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征

陈志钢 ^1, , 唐一文 ^2, , 贾志杰 ^3, , 张丽莎 ^4, , 李家麟 ^5, , 余颖 ^6,

1.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079

2.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079

3.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079

4.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079

5.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079

6.华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉,430079

基金项目: 国家自然科学基金(20207002) 教育部留学回国人员科研启动基金

关键词：氧化亚铜 , 电沉积 , 膜 , 表征

Electrodeposition and Characterization of Cu2O Thin Films on Transparent Conducting GIass

研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响,并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺条件为:电势-0.22～-0.45V(vs SCE),温度为60.C,pH值为5.5～6.0,(CHaCOO)2Cu浓度为0.015～0.04mol/L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60.C沉积的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.

参考文献

[1]	Olsen L C , Addis F W, Miller W. Sol. Cells, 1982, 7: 247-255.
[2]	Jayewardena C, Hewaparakrama K P, Wijewardena D L A, et al. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 1998, 56:29-33.
[3]	Santra K, Chatterjee P, Sen GuptaS P. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 1999, 57: 345-358.
[4]	N Fernando C A, Wethasinghe S K. Sol. E Energy Mater. Sol. Cells, 2000, 63: 299-308.
[5]	Musa A O, Akomolafe T, Carter M J. Sol. E Energy Mater. Sol. Cells, 1998, 51: 305-316.
[6]	Santra K, Sarkar C K , Mukherjee M K, et al. Thin Solid Films, 1992, 213: 226-236.
[7]	Georgieva V, Risov M. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 2002, 73: 67-73.
[8]	Yoon K H, Choi W J, Kang D H. Thin Solid Films, 2000, 372: 250-256.
[9]	Zhou Y C, Switzer J. 材料研究学报 (Chinese Journal of Materials Research), 1996, 10(5) : 512-516.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网