CVD SiC涂层对3D C/SiC氧化行为的影响

无机材料学报, 2005, 20(1): 251-256. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.041

CVD SiC涂层对3D C/SiC氧化行为的影响

吴守军 ^1, , 成来飞 ^2, , 张立同 ^3, , 徐永东 ^4, , 陈照峰 ^5,

1.西北工业大学超高温复合材料实验室,西安,710072

2.西北工业大学超高温复合材料实验室,西安,710072

3.西北工业大学超高温复合材料实验室,西安,710072

4.西北工业大学超高温复合材料实验室,西安,710072

5.西北工业大学超高温复合材料实验室,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50272053)

关键词： C/SiC复合材料 , 涂层 , 氧化 , 缺陷

Effect of CVD SiC Coatings on Oxidation Behaviors of Three Dimensional C/SiC Composites

采用两种不同沉积速度的等温减压化学气相沉积在3D C/SiC上制备了多层CVDSiC涂层.利用扫描电镜对涂层表面和断面进行显微分析,考察了涂层在1300℃下进行恒温氧化的防护效果.慢速减压化学气相沉积能够对多层CVD SiC涂层的涂层间隙缺陷实现有效控制,所制备的多层涂层可以消除涂层间隙,连贯的结合为一整体,能显著提高涂层防护效果,材料在1300℃空气中氧化30h后的失重率可控制在1%以下.

参考文献

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