新型AgInSbTe相变薄膜的结晶活化能研究

无机材料学报, 2005, 20(1): 230-234. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.037

新型AgInSbTe相变薄膜的结晶活化能研究

张广军 ^1, , 顾冬红 ^2, , 李青会 ^3, , 干福熹 ^4, , 刘音诗 ^5,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

5.成都先锋材料有限公司,成都,611731

基金项目: 国家自然科学基金(60207005)

关键词：新型AgInSbTe相变薄膜 , 结晶动力学 , XRD , DSC

Activation Energy for the Crystallization of the New Type AgInSbTe Phase Change Films

利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜,热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升温速率条件下的结晶峰温度,计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度,可以用于高速可擦重写相变光盘.

参考文献

[1]	干福熹主编.数字光盘存储技术,第一版.北京:科学出版社,1998.209-231.
[2]	Weidenhof V , Friedrich I, Wutting M. J. Appl. Phys., 1999, 86: 5879-5887.
[3]	Weidenhof V, Friedrich I, Ziegler S, et al. J. Appl. Phys., 2001, 89: 3168-3176.
[4]	Yagya Deva Sharma, Bhatnagar P K. Opt. Eng., 2002, 41 (7): 1668-1673.
[5]	刘波.激光致相变材料结晶及高密度相变光盘工艺基础研究.博士论文.上海光学精密机械研究所,2002.45-47.
[6]	刘惠勇.Ag-In-Sb-Te相变薄膜的热致相变特性及短波长记录存储性能.博士论文.上海光学精密机械研究所,1998.24-27.
[7]	Yinnon H, Uhlmann D R. J. Non-crystalline Solids, 1983, 54: 253-275.
[8]	Chen H S. J. Non-Crystalline Solids, 1978, 27: 257-263.
[9]	干福熹主编.数字光盘和光存储材料,第一版.上海科学技术出版社,1992.53-84.

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