BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

无机材料学报, 2004, 19(5): 1207-1211. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.041

BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

李金隆 ^1, , 李言荣 ^2, , 张鹰 ^3, , 邓新武 ^4, , 刘兴钊 ^5,

1.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

2.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

3.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

4.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

5.电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

关键词： BST , 铁电薄膜 , 低温 , 外延生长

Epitaxial Layer-by-Layer Growth of BST Series Ferroelectric Thin Films at Low Temperature

利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长, 并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度, 发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.

参考文献

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Epitaxial Layer-by-Layer Growth of BST Series Ferroelectric Thin Films at Low Temperature

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