液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料

无机材料学报, 2004, 19(1): 127-132. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.021

液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料

王为 ^1, , 张伟玲 ^2, , 王惠 ^3, , 陶松 ^4, , 张建中 ^5,

1.天津大学化工学院

2.天津大学化工学院

3.天津大学分析中心,天津,300072

4.天津大学化工学院

5.电子信息产业部第十八所,天津,300072

基金项目: 国家自然科学基金(50071040)

关键词：铋碲温差电材料 , 纳米线阵列 , 电沉积

Fabrication of n-type Bismuth-Tellurium Nanowire Array Thermoelectric Materials by Electrodeposition Technology

对铋碲合金电沉积过程进行了研究,并分析了温度和硝酸浓度对铋碲共沉积的影响.结果表明,Bi3+和HTeO+2混合溶液中的电沉积是分阶段进行的.溶液中HTeO+2的存在阻碍了Bi3+的电沉积.铋碲共沉积的速度随温度的升高以及溶液中硝酸浓度的增加而加速.实验中还研究了沉积电位对铋碲组成的影响.采用ESEM分析了铋碲纳米线阵列温差电材料的形貌.

参考文献

[1]	高敏.温差电转换及其应用.北京:北京兵器出版社,1996.
[2]	Nolas G S, Sharp J, Goldsmid H. J. Thermoelectrics, Basic Principles and New Materials Developments.Springer Verlag, 2001.
[3]	Chen G, Yang B, Liu W L. 20th International Conference on Thermoelectrics, 2001, Beijing, China.
[4]	Lieber C M. The 18th International Conference on Thermoelectrics, 1999, Baltimore, USA.
[5]	Fleurial J P, Snyder G J, Patel J, et al. 20th International Conference on Thermoelectrics, 2001, Beijing,China.
[6]	Kishi M, Yamamoto M, et al. The 18th International Conference on Thermoelectrics, 1999, Baltimore, USA.
[7]	Heremans J, Thrush C M. Physical Review B, 1999, 95 (19): 12579.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料

Fabrication of n-type Bismuth-Tellurium Nanowire Array Thermoelectric Materials by Electrodeposition Technology

参考文献