给出了一种低成本合成高纯碳化硅晶须的新方法.采用电场催化技术,在较低的温度(1200~1400℃)下合成了直径为100~200nm、长度为5~50μm的碳化硅晶须.研究结果表明,以炭黑和SiO2微粉为原料在电场电炉中能够合成出高纯度、高含量的碳化硅晶须.
参考文献
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[5] | Nutt S R. J. Am. Ceram. Soc., 1984, 67 (6): 428-431. |
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