用Ar+离子束多靶溅射沉积技术在单晶硅Si(100)上顺序沉积了TiO2、BaCO3、SrCO3叠层,并经后期低温扩散和高温晶化两步热处理过程制备了BaxSr1-xTiO3薄膜.用俄歇扫描电子能谱(AES)对其低温扩散效应(温度、时效、沉积顺序)进行了研究.实验结果表明:在低温段长时间保温或在中温段短时间保温都有利于各沉积组元充分扩散,扩散均匀的混合膜层经高温晶化(900℃)能形成多晶BaxSr1-xTiO3薄膜.
参考文献
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