以无机盐为原料,采用共沉淀法制得了掺锑SnO2纳米级微粉.运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和差热分析(DTA)等观测手段对微粉末进行了表征,比较系统地研究了掺锑浓度对物相、粉末颗粒度及电阻的影响规律.实验结果表明,低掺杂浓度样品(x≤0.462),Sb原子固溶于四方晶系SnO2中,高掺杂浓度样品(x≥0.519),Sb原子将从固溶体中脱溶并被氧化为Sb2O4相;掺杂Sb可以减小SnO2的晶粒度,在热处理时阻碍SnO2晶粒长大,掺杂浓度＞0.181时,进一步掺杂对粉末粒度没有明显的影响;SnO2粉末电导率随掺锑浓度的增大而提高,掺杂浓度为0.095时粉末电导率达到极大值,当掺杂浓度＞0.245时,粉末电阻快速增大.兼顾掺杂浓度对粉末粒度和电阻的影响,合适的掺杂浓度x为0.181～0.230.
参考文献
| [1] | 周歧发,林光明,张进修.传感技术学报,1995,4:22-26. |
| [2] | 王元生,杨裕民,黄兆新.材料研究学报,1998,12(5):531-534. |
| [3] | 钱逸泰,程瑞鹏,胡源,等.人工晶体学报,1995,24(4):325-328. |
| [4] | 严宣申,王长富等编著.普通无机化学,第一版.北京:北京大学出版社,1987.196-198. |
| [5] | 薄占满(Bo Zhanman).无机材料学报(Journal ofInorganic Materials),1990,5(4):324-329. |
| [6] | Terrier C, Chatelon J P, Roger J A. Thin Solid Films, 1997, 295: 95-100. |
| [7] | Terrier C, Chatelon J P, Berjoan R, et al. Thin Solid Films, 1995, 263: 37-41. |
| [8] | Kojima M, Kato H, Gatto M. Philos. Mag. B, 1993, 68(2): 215-222. |
| [9] | Paria M K, Maiti H S. Journal of Materials Science, 1982, 17: 3275-3280. |
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