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无机材料学报, 2002, 17(5): 915-924. doi: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.003

微波介质陶瓷的中低温烧结

王宁 1, , 赵梅瑜 2, , 殷之文 3,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷工程研究中心,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷工程研究中心,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所功能陶瓷工程研究中心,上海,200050

关键词： 微波介质陶瓷 , 低温烧结 , 掺加 , 化学合成

Low-Temperature Firing in Microwave Dielectric Ceramics

综述了近年来微波介质陶瓷在低温烧结方面的研究进展.为降低微波介质陶瓷的烧结温度,传统的方法是添加氧化物或低熔点玻璃作为烧结助剂、采用化学合成方法和使用超细粉体作为起始原料.另外,发展具有低烧结温度的新的微波介质陶瓷材料体系也是一种有效的方法.

参考文献

[1] Richtmyer R D. J. Appl. PHys., 1939, 10: 391-398.
[2] 何进,杨传仁.电子元件与材料,1995,14(2):7-13.
[3] Masse D J, et al. Proc. IEEE, 1971, 59(11): 1628-1629.
[4] Plourde J K, Ren C L. IEEE Trans. on MTT, 1981, MTT-29(8): 754-770.
[5] Kolar D, Gaberscek S, Volavsek B. J. Solid State Chem., 1981, 38(2): 158-164.
[6] Razgon E S, Gens A M, Varfolomeev M B, et al. J. Inorg. Chem., 1980, 25: 2298-2301.
[7] Durand J M, Boilot J P. J. Mater. Sci. Lett., 1987, 6(2): 134-136.
[8] Pellegrin J L. IEEE Trans. on MTT, 1969, MTT-17: 764-768.
[9] Syunichivo Kamashima, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1983, 66(6): 421-423.
[10] Nomura S. Ferroelectrics, 1983, 49(1-4): 61-67.
[11] Kato J, Kagata H, Nishimoto K. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 1991, 30(9B): 2343.
[12] Kato J, Kagata H, Nishimoto K. Jpn. J. Appl PHys., Part Ⅰ, 1992, 31(9B): 3144-3147.
[13] Ezaki K, Baba Y, Takahashi H, et al. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 1993, 32(9B): 4319-4322.
[14] Wakino K, Minai K, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1984, 67(4): 278-281.
[15] Wolfram G, Gobel H E. Mater. Res. Bull., 1981, 16(11): 1455-1463.
[16] Katsube M, Ishikawa Y, Tamura H, et al. U.S.Pat. No.4102696,1978.
[17] Heiao Y C, Wu L, Wei C C. Mat. Res. Bull., 1988, 23: 1687-1692.
[18] Kudesia R, McHale A E, Snyder R L. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77(12): 3215-3220.
[19] Yoon K H, Kim Y S, Kim E S. J. Mater. Res., 1995, 10(8): 2085-2090.
[20] Iddles D M, Bell A J, Monlson A J. J. Mater. Sci., 1992, 27: 6303-6310.
[21] Michiura N, Tatekawa T, Higuchi Y, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1995, 78(3): 793-796.
[22] Houivet D, Fallak J E, Haussonne J M. J. Europ. Ceram. Soc., 1999, 19: 1095-1099.
[23] Kim D J, Hahn J W, Han C P, et al. J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83(4): 1010-1012.
[24] Huang C L, Weng M H, Chen H L. Mater. Chem. PHys., 2001, 71: 17-22.
[25] O'Bryan H M, Thomson J. J. Am. Ceram. Soc., 1974, 57(10): 450-453.
[26] Jean J H, Lin S C. J. Am. Ceram. Soc., 2000, 83(6): 1417-1422.
[27] Takada T, Wang S F, Yoshikawa S, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77(9): 2485-2488.
[28] Takada T, Wang S F, Yoshikawa S, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1994, 77(7): 1909-1916.
[29] Weng M H, Huang C L. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 2000, 39: 3528-3529.
[30] Huang C L, Weng M H, Lion C T, et al. Mat. Res. Bull., 2000, 35: 2445-2456.
[31] Koga A, Tsukiyama Y, Shibagaki S. J. Ceram. Soc. Jpn., 1995, 103(7): 685-689.
[32] Lee C C, Lin P. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 1998, 37: 6048-6054.
[33] Yamamoto H, Koga A, Shibagaki S, et al. J. Ceram. Soc. Jpn., 1998, 106(3): 339-343.
[34] Ichinose. N, Yamamoto H. Ferroelectrics, 1997, 201: 255-262.
[35] Hirano S, Hayashi T, Hattori A. J. Am. Ceram. Soc., 1991, 74(6): 1320-1324.
[36] 吴毅强.电子元件与材料,1999,18(1):5-7.
[37] Han K R, Jang J W, Cho S Y, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1998, 81(5): 1209-1214.
[38] Ritter J J, Roth R S, Blendell J E. J. Am. Ceram. Soc., 1986, 69(2): 155-162.
[39] Lu H C, Burkhart L E, Schrader. J. Am. Ceram. Soc., 1991, 74(5): 968-972.
[40] Pfaff G. J. Mater. Sci. Lett., 1993, 12(1): 32-34.
[41] Xu Y B, He Y Y, Wang L B. J. Mater. Res., 2001, 16(4): 1195-1199.
[42] Choy J H, Han Y S, Sohn J H, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1995, 78(5): 1169-1172.
[43] Takahashi T, Ikegami T, Kageyama K. J. Am. Ceram. Soc., 1991, 74(8): 1868-1872.
[44] Takahashi T, Ikegami T, Kageyama K. J. Am. Ceram. Soc., 1991, 74(8): 1873-1879.
[45] Nomura S, Toyama K, Kaneta K. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 1982, 21(10): L624-L626.
[46] Renoult O, Boilot J P, Chaput F, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1992, 75(12): 3337-3340.
[47] Fukui T, Saurai C, Okuyama M. J. Mater. Res., 1992, 7(7): 1883-1887.
[48] Katayama S, Yoshinaga I, Yamada N, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1996, 79(8): 2059-2064.
[49] Katayama S, Yoshinaga I, Nagai T, et al. Ceram. Trans., 1995, 51: 69-73.
[50] Katayama S, Sekine M. J. Mater. Chem., 1992, 2(8): 889-890.
[51] 卞建江,赵梅瑜,殷之文(Blan Jian0iang,et al).无机材料学报(Journal of Inorganic Materials),1998,13(1):43-47.
[52] 顾峰,沈悦,王树棠,等.电子元件与材料,1999,18(5):9-10.
[53] Tolmer V, Desgardin G. J. Am. Ceram. Soc., 1997, 80(8): 1981-1991.
[54] Kim H T, Nahm S, Byun J D. J. Am. Ceram. Soc., 1999, 82(12): 3476-3480.
[55] 李标荣,莫以豪,王莜珍.无机电介质,上海:上海科学技术出版社,1986.163-168.
[56] Ling H C, Yan M F, Rhodes W W. J. Mater. Res., 1990, 5(8): 1752-1762.
[57] Yan M F, Ling H C, Rhodes W W. J. Am. Ceram. Soc., 1990, 73(4): 1106-1107.
[58] Liu D H, Liu Y, Huang S Q, et al. J. Am. Ceram. Soc., 1993, 76(8): 2129-2132.
[59] Wang H, Wang X L, Yao X. Ferroelectrics, 1997, 195: 19.
[60] Kagata H, Inone T, Kato J, et al. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ, 1992, 31(9B): 3152-3155.
[61] Subramanian M A, Calabrese J C. Mater. Res. Bull., 1993, 28: 523-529.
[62] Keve E T, Skapski A C. Journal of Solid State Chemistry, 1973, 8: 159-165.
[63] Cheng C M, Lo S H, Yang C F. Ceramics International, 2000, 26: 113-117.
[64] Tzou W C, Yang C F, Chen Y C, et al. J. Europ. Ceram. Soc., 2000, 20: 991-996.
[65] Yang C F. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 1999, 38(12A): 6797-6800.
[66] Huang C L, Weng M H. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ, 1999, 38(10): 5949-5952.
[67] Huang C L, Weng M H. Mater. Lett., 2000, 43: 32-35.
[68] Huang C L, Weng M H, Wu C C. Ceramics International, 2001, 27: 343-350.
[69] Choi W, Kim K Y. J. Mater. Res., 1998, 13(10): 2945-2949.
[70] Huang C L, Weng M H, Wu C C. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 2000, 39(6A): 3506-3510.
[71] Nakano M, Suzuki K, Miura T, et al. Jpn. J. Appl. PHys., Part Ⅰ , 1993, 32(9B): 4314-4318.
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