低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

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Single-Fired SrTiO3-Based GBBLC Material with Hign Permittivity

报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数、较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC).材料的有效介电常数高达37×104,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20～150℃),频率色散较小,且制备工艺简单.

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