利用热膨胀仪、透射电子显微镜(TEM)、X射线能谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD)等对ZG06cr13Ni4Mo在0.05℃/s低加热速率下回火过程中逆变奥氏体的产生机理进行了研究.结果表明:低加热速率下ZG06Cr13Ni4Mo在As-Af区间回火产生的逆变奥氏体中富集了奥氏体化元素Ni,且不含高密度位错,马氏体向逆变奥氏体的转变是扩散型相变.高于600℃回火得到的逆变奥氏体不稳定,在随后冷却过程中部分发生马氏体转变.一次回火在620℃时能得到最大量的逆变奥氏体;620-660℃一次回火生成的逆变奥氏体在冷却过程中产生大量弥散分布的马氏体,增加了600℃二次回火时逆变奥氏体的形核位置,使二次回火后逆变奥氏体含量显著增加.
参考文献
| [1] | Friis W L,Noren T M I.US Pat 3378367,1968 |
| [2] | Bilmes P D,Solari M,Llorente C L.Mater Charact,2001;46:285 |
| [3] | Gesnouin C,Hazarabedian A,Bruzzoni P,Ovejero-Garcia J,Bilmes P,Llorente C.Corros Sci,2004; 46:1633 |
| [4] | Bilmes P,Llorente C,Ipina J P.J Mater Eng Perform,2000; 9:609 |
| [5] | Iwabuchi Y.JSME Int J,2003; 46A:441 |
| [6] | Geng C W.Phys Exam Test,1992; 59:8(耿承伟.物理测试,1992;59:8) |
| [7] | Larson J A,Fisher R.AFS Trans,1979; 63:113 |
| [8] | Hubackova J,Cihal V,Mazanec K.J Mater Technol,1984;15:411 |
| [9] | Zhang Y.Acta Metall Sin,1982; 18:395(张一.金属学报,1982;18:395) |
| [10] | Kapoor R,Kumar L,Batra I S.Mater Sci Eng,2003;A352:318 |
| [11] | Leem D S,Lee Y D,Jun J H,Choi C S.Scr Mater,2001;45:767 |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%