采用热弹性模型计算了垂直Bridgman(VB)法生长CdZnTe单晶体过程中的应力场,研究了坩埚内壁碳膜的厚度对晶体内热应力的影响.计算结果表明:晶体边缘与坩埚内壁接触位置的热应力远大于晶体中心处的热应力.晶体生长过程中存在两个高应力区:与坩埚接触的晶体底部与顶部(固/液界面下方)区,两个区的最大应力值在凝固过程中迅速增加,在随后的晶体冷却过程中较缓慢增大.增加碳膜厚度可以显著减小晶体边缘的热应力,然而对晶体中心的热应力影响较小.晶体生长完成85%左右时,用涂石墨坩埚生长的晶体比用石英坩埚生长的晶体的最大热应力小55%以上.
参考文献
| [1] | Min N B.Physical Fundamentals of Crystal Growth.Shanghai:Shanghai Scientific and Technical Publishers,1982:453(闵乃本.晶体生长的物理基础.上海:上海科学技术出版社,1982:453) |
| [2] | Garg A K,Srivastava M,Narula R C,Bagai R K,Kumar V.J Cryst Growth,2004; 260:148 |
| [3] | Palosz W,Grasza K,Durose K,Halliday D P,Boyall N M,Dudley M,Raghothamachar B,Cai L.J Cryst Growth,2003; 254:316 |
| [4] | Glass H L,Socha A J,Parfeniuk C L.J Cryst Growth,1998; 185:1035 |
| [5] | Rosch W,Carlson F.J Cryst Growth,1991; 109:75 |
| [6] | Ma R H,Zhang H,Larson D J,Mandal K C.J Cryst Growth,2004; 266:216 |
| [7] | Mart(i)nez-Toá C,Mu(n)oz V,J Cryst Growth,2001; 222:435 |
| [8] | Jordan A S,Caruso R,von Neida A R.Bell Syst Technol J,1980; 59:593 |
| [9] | Duseaux M.J Cryst Growth,1983; 61:576 |
| [10] | Motakef S.J Cryst Growth,1987; 80:37 |
| [11] | Meduoye G O,Bacon D J,Evans K E.J Cryst Growth,1991; 108:627 |
| [12] | Liu J C.Acta Metall Sin,2004; 40:987(刘俊成.金属学报,2004;40:987) |
| [13] | Parfeniuk C,Weinberg F,Samarasekera I V,Schevezov C,Li L.J Cryst Growth,1992; 119:261 |
| [14] | Shetty R,Wilcox W R,Regel L.J Cryst Growth,1995;153:103 |
| [15] | Shimizu A,Nishizawa J I,Oyama Y,Suto K.J Cryst Growth,2002; 237-239:1697 |
| [16] | Chao C K,Hung S Y.J Cryst Growth,2003; 256:107 |
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