FePt/Cu多层膜化降低L10-FePt有序化温度

金属学报, 2005, 41(6): 659-662. doi: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.06.019

FePt/Cu多层膜化降低L10-FePt有序化温度

李宝河 ^1, , 黄阀 ^2, , 杨涛 ^3, , 冯春 ^4, , 滕蛟 ^5, , 朱逢吾 ^6,

1.北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;北京工商大学数理部,北京,100037

2.北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;金日成综合大学物理系,平壤,朝鲜

3.北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083

4.北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083

5.北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083

6.北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083

基金项目: 北京市科技新星计划项目(H020821290120) 国家自然科学基金(50301002)

关键词： FePt/Cu多层膜 , L10-FePt有序相 , 磁控溅射 , 有序度

LOWERING OF ORDERING TEMPERATURE FOR L10-FePt IN FePt/Cu MULTILAYERS

采用直流磁控溅射方法制备FePt/Cu多层膜,再经不同温度下真空热处理得到有序L10-(FePt)100-xCux薄膜.结果表明,Cu的添加可以降低FePt薄膜有序化温度.[FePt(4 nm)/Cu(0.2 nm)]10多层膜在350℃热处理1 h后,有序度增至0.6,矫顽力达到421 kA/m.对插入极薄Cu层促进有序化在较低的温度下进行的热力学和动力学因素进行了讨论.

参考文献

[1]	Choe G, Zhou J N, Demczyk B, Yu M, Zheng M, Weng R,Chekanov A, Johnson K E, Liu F, Stoev K. IEEE Trans Magn, 2003; 39:633
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[4]	Shima T, Moriguchi T, Mitani S, Takanashi K. Appl Phys Lett, 2002; 80:288
[5]	Hsu Y N, Jeong S, Laughlin D E, Lambeth D N. J Appl Phys, 2001; 89:7068
[6]	Maeda T, Kai T, Kikitsu A, Nagase T, Akiyama J I. Appl Phys Lett, 2002; 80:2147
[7]	Endo Y, Kikuchi N, Kitakami O, Shimada Y. J Appl Phys,2001; 89:7065

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